结果:找到"N沟道 场效应管 MOS管",相关内容872条
  • MOS在机器人电路中的关键作用
  • MOS在机器人电路中的一个主要作用是作为放大器。机器人的传感器系统需要将微弱的信号放大以便进行精确的测量和检测。MOS放大器通过调节输入信号的电压,可以在不失真的情况下放大信号,从而提高传感器系统的灵敏度和准确性。这对于机器人在各种环境和任务中的感知能力至关重要,例如在复杂的制造过程中或在不可预测的场景中执行任务。MOS在机器人电路中扮演着关键的开关角色。作为开关,MOS可以在不同的电压和电流条件下控制电路的通断,从而实现对机器人系统的精确控制。这种精确的控制能力使得机器人能够执行精细的动作和复杂的任务,例如在医疗手术中进行精确的操作或在危险环境中执行高风险的任务。MOS的高度可控性使得机器...
  • 所属专栏: 器件替换 标签: MOS,MDD 发帖人:MDD二极管桥堆 发帖时间:2023-12-14 09:46:00
  • AP15N06NMOSSOT89-3L电池保护MOS管n沟道增强型mos场效应管
  • SuperLowGateChargeGreenDeviceAvailableExcellentCdv/dteffectdeclineAdvancedhighcelldensityTrenchtechnologyDescriptionThe15N06isthehighestperformancetrenchN-chMOSFETswithextremehighcelldensity,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.ThemeettheRoHSandGre...
  • 所属专栏: 供应商专区 标签: MOS 发帖人:LEDIC 发帖时间:2023-05-23 15:51:00
  • STP110N7F680V110A0.0065Ω低内阻控制器常用MOS管
  • 产品特性:超低内阻:0.0065Ω极低的超级电荷Qg=100nC高抗雪崩能量:185mJ低栅极功能驱动功率损耗应用领域:智能出行(电动汽车)电力&新能源物联网&5G
  • 所属专栏: 技术交流 标签: STP110N7F6 低内阻 控制器 MOS N 发帖人:Hailey 发帖时间:2021-11-22 11:27:00
  • 60V低压mos低内阻DFN3*3低结电容用于快充头不会选?看这个就对了
  • 快充电源中MOS管的应用方案消费电子市场的火爆场面拉动了快充的内需,而快充的兴起也带动了MOSFET的需求增长。用于整流同步的MOS管,可以保证在快充电源提高电压来达到高电流高功率充电时的用电安全性。快充中的MOS管显得尤为重要,而低电压高电流充电的“闪充”对整流同步的MOS管要求更为严苛,MOS管用量也呈上升趋势。惠海半导体针对电子设备的续航问题开发定制快充电源中MOS管应用。采用三段式充电和四开关管升降压电路,并且选用了惠海半导体的场效应管,实现了兼容性强的大功率快充功能,充放电效率大于等于93%,具有外围器件需求小,电转换效率率高,延长锂电池寿命等优点。MOS管型号:HG5511D参数...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 60V低压mos MOS 发帖人:用芯出发 发帖时间:2021-01-27 14:32:00
  • HC160N10LS贴片MOS5N10100V5ASOT-23N沟道香薰机加湿器MOS
  • 惠海半导体专注研发设计、生产销售高品质价格有优势的低结电容、低内阻的雾化器、美容仪、加湿器MOS100V调光LED灯MOS管我们的优势:厂家直销,价格优势,货源充足,技术支持,品质保证,下面我为大家推荐几款目前小家电市场用且价格优势的高品质加湿器、雾化器、香薰机专业MOS管、LED电源等、安防监控POE电源产品专用MOS管型号:HC510中压MOS:100V,N沟道,大电流,小封装MOS,实际电压可到100V,可以满足LED电源,充电器,小家电等需要低压,大电流,小封装的要求。HC510参数:100V5ASOT-23N沟道MOS管/场效应管:100V5A封装:SOT-23沟道:N沟道,产品质...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 5N10,100V,N,香熏机MOS 发帖人:ruisir 发帖时间:2020-11-14 11:55:00
  • 如何区分和选用晶体三极管和场效应管
  •   晶体三极管简称三极管,和场效应管一样,具有放大作用和开关特性的,是电子设备中的核心器件之一,应用十分广泛。三极管和场效应管虽然特性,外形相同,但是工作原理却大不一样,普通三极管是电流控制器件,二场效应管是电压控制器件。  晶体三极管和场效应管说明:  晶体三极管:  用于电压放大或者电路放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上,在发射集和集电极之间以Vce的方式输出;还可以把基极电流Ib放大β倍,然后在集电极以Ic形式输出。  场效应管:  原件要比晶体管小得多。晶体管就是一个小硅片。但是场效应管的结构要比晶体管的要复杂。场效应管的沟道一般是几个纳米,也就...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: 晶体三极 发帖人:元器件小白 发帖时间:2020-05-14 13:53:00
  • IGBT场效应管的工作原理及检测方法
  •   IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40kHz)等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。  1.IGBT的...
  • 所属专栏: 技术交流 标签: IGBT 发帖人:元器件小白 发帖时间:2020-05-07 11:34:00
  • 【资料下载】5000种场效应管型号查询
  • 场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。本文件内含5000种场效应管型号,以供大家查询使用。资料仅供学习交流使用,请勿用于商业用途。5000种场效应...
  • 所属专栏: 电子入门基础知识 标签: 型号 发帖人:立创编辑 发帖时间:2019-07-10 15:21:00
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